نوآوری «ترانزیستور نانومقیاس اثر میدانی باله ای» توسط محققان دانشگاه سمنان ثبت شد

نوآوری «ترانزیستور نانو مقیاس اثر میدانی باله ای با کانال اصلاح شده مدور» توسط محققان دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه سمنان با همکاری پارک علم و فناوری این دانشگاه، ثبت شد.

داود معروفی، مسئول مرکز مالکیت فکری پارک علم و فناوری دانشگاه سمنان با اعلام این خبر گفت: «ترانزیستور نانو مقیاس اثر میدانی باله ای با کانال اصلاح شده مدور» توسط دکتر علی اصغر اروجی عضو هیأت علمی دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه سمنان، فاطمه کریمی دانشجوی دکتری این رشته و پارک علم و فناوری دانشگاه سمنان در اداره کل مالکیت صنعتی و ثبت اختراع به شماره 88721 به ثبت رسید.

دکتر علی اصغر اروجی در توضیح این نوآوری گفت: این ساختار برای اولین بار است که روی ترانزیستور اثر میدانی باله ای شکل با فناوری سیلیسیم بر روی عایق ارائه شده و با توجه به مراحل ساخت ساده و مزایایی که دارد، مورد مناسبی برای ساخت ترانزیستور با فناوری بیان شده است.

وی افزود: در این ساختار از 2 راه کار همزمان باریک کردن قسمت بالایی کانال و گستردگی مدور سمت پایینی کانال استفاده شده و با این نوع اصلاح، اثر خودگرمایی، اثرات کانال کوتاه، اثر حامل‌های داغ، قابلیت اطمینان به ساختار، طول عمر، سرعت افزاره و به دنبال آن، ولتاژ شکست ساختار به طور همزمان، بهبود یافته است.

دانشگاه سمنان حدود 16 هزار دانشجو در مقاطع مختلف کاردانش، کارشناسی، کارشناسی ارشد و دکتری دارد و از نظر علمی در شاخص های مختلف، جزء 12 دانشگاه برتر کشور محسوب می شود.